表面構造を有するシリコン上でペロブスカイトを成長させる (Growing perovskite on textured silicon)
禁制帯幅の広いペロブスカイトは、多接合型電池を形成することでシリコン太陽電池の効率を高めることができかもしれないが、シリコンの光捕獲粗面側に成長させたペロブスカイトは、往々にしてシリコン表面を完全には覆わず、また、生成するペロブスカイトの粗表面は相分離を起こしやすいため、ペロブスカイトは通常、シリコン電池の平滑側で成長させる必要がある。 Hou たちは、粗面構造を持つシリコン上に1.68電子ボルトの禁制帯幅を持つペロブスカイト厚膜を溶液法で成長させ、 ペロブスカイト表面を1-ブタンチオールで不動態化処理することでペロブスカイトの相分離を制限した。この多接合型電池の認定電力変換効率は25.7%で、400時間動作後の能力低下は無視できるほどであった。(Wt,MY,kj,nk,kh)